第二届IET IGCT技术及应用国际研讨会成功举办

2022年11月25日，The 2nd IET International Workshop on IGCT and Applications在线上召开，本次研讨会由清华大学、日立能源联合英国工程技术学会（IET）主办，来自中国、瑞士等国家的约50名行业专家、高校师生、工程技术人员参加会议。

研讨会于线上开幕

IGCT作为一种新型功率半导体器件，自从1997年诞生以来，凭借其大容量、高可靠、低损耗、低成本的优势，在工业变频调速、风电并网、轨道交通等领域得到了广泛的应用。近年来，在新能源输送和大规模储能的驱动下，直流电网在世界各国快速发展。高压大容量功率半导体器件作为直流主干网络关键装备的核心元件，成为学术研究和产业应用的热点，这也给IGCT在直流电网领域的应用带来了新的契机和广阔前景。

IET International Workshop on IGCT and Applications是首个聚焦集成门极换流晶闸管（IGCT）技术及应用的国际会议。2020年11月，第一届会议由清华大学联合IET成功举办，来自美国、英国、法国、德国、瑞士、中国等国家的约50名专家学者，围绕“IGCT在直流电网中的应用”，进行了成果分享、技术交流和问题探讨。

部分与会嘉宾线上合影

近两年来，在“30 60”双碳目标的推动下，随着大规模可再生能源在接入、输送、消纳等环节对大容量电力电子设备的需求，IGCT器件高电压、大容量的优势进一步凸显，其应用契机进一步成熟，设备研制和工程应用取得了快速进展。 
在此形势下，本届会议应运召开，来自清华大学和日立能源的专家围绕IGCT器件的“应用和市场需求”、“驱动和可靠性”、“芯片设计和工艺研制”等方面进行了深入的技术交流和探讨。

与会专家一致认为， IGCT高电压、大容量的优势契合大规模可再生能源发电和柔性交直流输配电对于功率半导体器件的需求，随着IGCT应用的推广和性能的不断优化和提升，将在构建新型电力系统、推动双碳目标实现的进程中扮演重要角色。